半导体

光学散射测量或光学关键尺寸（OCD）是半导体生产过程控制的常用在线计量方法。和CD-SEM等成像技术一样，OCD也已发展成为一种快速、可靠且无损的计量方法，可以提供有关所观测图案结构的信息，例如关键尺寸、高度或侧墙角度。通过在一定角度下照射晶圆上的一小块区域，并借助光谱仪在UV-NIR光谱范围内观察散射光，即可确定相关剖面的形状参数。在确定图案剖面信息时，晶圆训练光谱应用了基于模型的机器学习技术作为参考。蔡司为CD和套刻OCD计量提供OEM高性能光谱仪，例如MCS CCD（190 - 980 nm）或定制配置。
高端光学平面光栅可让您根据自己的计量方法测量非常重要的参数，并满足客户特殊的要求，例如较少的杂散光、高效率和低波前像差。

半导体设备的生产在很大程度上依赖于等离子体蚀刻过程。在晶圆上蚀刻图案时，蚀刻进度的在线控制对于避免蚀刻过度和蚀刻不足以及确保优化过程参数、高产量和高生产力至关重要。光学发射光谱法（OES）、光谱反射法（SR）和激光干涉等光学计量是用于等离子体蚀刻终点控制的常见方法。蔡司MCS-CCD（190 - 1015 nm）和CGS系列（190 - 1100 nm）非常适合利用发射光谱法在蚀刻期间实时监测等离子体反应物的浓度。MCS-CCD具有分辨率高、光谱覆盖广、波长精度高和读出速度快等特点。MCS系列和CGS系列的光谱仪为光谱反射法提供了所需的高动态测量范围和良好的信噪比。蔡司提供平面光栅，它们用于光谱范围为VUV至NIR的单通道或多通道光谱仪，以方便执行客户特定的光谱仪开发，从而实现等离子体监测和终点检测。得益于其杂散光少的特性，线密度范围在30{(-)}l/mm和3600{(-)}l/mm之间的平面光栅具有调适良好的分辨率和信噪比。