蔡司Crossbeam 750 FIB-SEM

蔡司Crossbeam 750引入了新型无场Gemini 4物镜，可有效提升切割期间的成像性能和稳定性。这使其能够准确控制要求严苛的工作流，例如亚20 nm TEM薄片制备、定性三维断层扫描和高级半导体分析。采用高动态范围（HDR）切割+SEM技术，能够在切割过程中提供实时高分辨率成像，因此成为了需要准确终点控制和关键器件结构保护的工作流的理想之选。

Gemini 4物镜与HDR切割和SEM技术相结合，可在切割过程中提供连续的高分辨率SEM成像。这使得用户能够实时监控被掩蔽的特征和精细界面，无需停止观察即可调整切割平面，并可靠地控制终点以实现亚20 nm薄片制备。

连续成像对于薄片制备过程中的对准和实时调整至关重要。它可减少对返工的需求，提高成功率，并确保超薄薄片（尤其是在晶体管堆栈、通孔和栅极结构等复杂器件架构中）获得一致的结果。

Crossbeam 750采用Ion-sculptor FIB镜筒，可将FIB精加工能量降至500 V，从而减少非晶体化现象并保留精细的结构细节。这确保了用户能够可靠地制备精细样品，包括薄膜、聚合物以及高级半导体层等对离子束敏感的材料。

可以。Crossbeam 750面向对离子束敏感的材料进行了优化。低电压SEM成像与低能量FIB切割技术相结合，能显著减少损伤并保留纳米级特征，使其成为了处理薄膜、生物组织和半导体界面等精细样品的理想选择。

Crossbeam 750提供准确的终点控制和亚20 nm薄片制备能力，可实现高级节点TEM分析和失效诊断。低电压抛光功能可在保护敏感器件层与界面的同时提供计量级表面，适用于准确表征晶体管堆栈、通孔和互连结构。

Crossbeam 750能够实现利落的截面切割、准确的减薄和低损伤的精细处理，为复杂的微米及纳米极结构确保高分辨率TEM成像。其非常适合用于处理金属、陶瓷和聚合物等材料，能够保留纳米级特征，以实现可靠的三维表征与分析。

可以。Crossbeam 750支持面向生物样品的SEM引导式切割，可对细胞膜、组织和生物材料界面进行定向制备。在低温条件下执行的低能量减薄可显著减少损伤并保持薄片质量，协助研究人员通过低电压成像功能捕获真实的显微结构。

蔡司ZEN core EM软件紧密融合了采集、控制和分析功能，满足Crossbeam 750工作流的需求。ZEN core支持基于参数的自动化、批量处理和同步SEM/FIB操作，确保在不同用户和样品间获得一致的结果。此外，蔡司arivis生态系统可对大型数据集进行由人工智能驱动的可扩展分析，为高效的数据解读、记录和下游工作流提供支持。