失效分析与三维器件表征

飞秒激光可在数分钟内完成毫米级体积材料去除，提高通量，快速获取器件深埋特征，适配X射线显微镜、APT柱体及大面积TEM薄片制备需求。其可制备满足EBSD和EDS要求的洁净截面，后续仅需FIB最终精修，节省耗时并减少样品潜在损伤。

您可以

• 快速获取深埋结构。
• 制备毫米级宽度与深度的截面。
• 凭借超短激光脉冲显著降低损伤与热效应。
• 通过与X射线显微成像数据集关联定位隐藏的感兴趣区域。
• 自动化执行工作流任务，无缝转移至FIB仓室。
  

蔡司Crossbeam提供两种仓室尺寸，以扩展分析、成像及样品改性能力。大仓室配置支持处理大型样品及可达200 mm的整片晶圆，为半导体工作流提供更高灵活性。

产品优势

• 150 mm或200 mm载物台——标准型或可选高精度（HP）载物台
• 200 mm交换舱配备延伸导轨，实现晶圆平稳转移
• NavCam升降机构支持整片晶圆成像与快速感兴趣区域导航
• 内置安全保护，以防止晶圆与仓室/镜筒发生干涉
• 坚固的传输杆/载具系统支持大载荷转移（>500 g）
  

Crossbeam的FE-SEM镜筒采用Gemini电子光学系统与无漏磁物镜，规避强磁场影响，可在倾斜工况下实现大视场无畸变高分辨率成像，同时在精密半导体分析研究中保持样品完好性。

• Gemini 1：适配Crossbeam 350，使用灵活，可对存在荷电效应或排气类样品进行可变压力成像。
• Gemini 2：搭载于Crossbeam 550，可在低电压下实现高分辨率成像，同时满足高要求分析与制备工作流所需的束流条件。
• Gemini 4：集成于Crossbeam 750，可大幅提升低电压分辨率/信噪比，倾斜工况下同样适用；同时在SEM高分辨率成像条件下减少物镜场对低能FIB探针的影响。

Ion-sculptor FIB
Ion-sculptor FIB镜筒束流范围覆盖1 pA至100 nA，能够在一套可扩展工作流内实现快速块体材料去除与可控低能量精修。